Efeito de alargamento da zona de base
O efeito de modulação da largura da base dos transistores bipolares (ou chamado efeito de mudança da largura da base) é um fenômeno no qual a largura efetiva da base muda com a voltagem aplicada.
A largura da região de carga espacial da junção PN é determinada pela voltagem aplicada e pela concentração de impurezas. Quando o transistor está no estado de operação de amplificação, a junção do emissor é polarizada para frente, a junção do coletor é polarizada reversamente e a tensão de polarização reversa VCB é relativamente alta. Com o aumento da tensão de polarização reversa, a largura da região de carga espacial da junção do coletor aumenta, o que reduz a largura da região de base efetiva. Quando a tensão de polarização reversa diminui, a largura da região de carga espacial da junção do coletor diminui, resultando na largura da região de base efetiva. aumentar. Então Ic fica menor. Esse fenômeno de que a largura efetiva da região da base muda com a tensão aplicada é chamado de efeito de modulação da largura da região da base, também conhecido como efeito Inicial.