Processo de formação de semicondutor tipo buraco
A dopagem de elementos trivalentes (como o boro) em cristais de silício puro para substituir a posição dos átomos de silício na estrutura do cristal forma um semicondutor do tipo P. Em semicondutores do tipo P, os buracos são multi-filhos e os elétrons livres são filhos de minoria, que conduzem eletricidade principalmente pelos buracos. Como a quantidade de carga positiva e a quantidade de carga negativa no semicondutor do tipo P são iguais, o semicondutor do tipo P é eletricamente neutro. Os buracos são fornecidos principalmente por átomos de impureza e os elétrons livres são formados por excitação térmica.