Processo de deposição de vapor químico
O processo de deposição de vapor químico é dividido em três etapas importantes: o gás de reação difunde-se para a superfície do substrato, o gás de reação adsorve na superfície do substrato, ocorre uma reação química na superfície do substrato para formar um depósito sólido, e os subprodutos da fase gasosa se desprendem da superfície do substrato. As reações mais comuns de deposição de vapor químico são: reações de decomposição térmica, reações de síntese química e reações de transporte químico. Normalmente, o TiC ou o TiN são depositados introduzindo TiCl4, H2, CH4 e outros gases na câmara de reação a 850 ~ 1100 ℃ e formando um revestimento na superfície do substrato por meio de reação química.